MBRD835LT4G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MBRD835LT4G (ON SEMICONDUCTOR.)	5	3-4 недели Цена по запросу
MBRD835LT4G (JSMICRO)	3 360	28.23

Версия для печати

Технические характеристики MBRD835LT4G

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	510mV @ 8A
Серия	SWITCHMODE™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	35V
Current - Average Rectified (Io)	8A
Current - Reverse Leakage @ Vr	1.4mA @ 35V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	DPAK-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.