IRF5803TR
|
|
Версия для печати
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112 mOhm @ 3.4A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Power - Max | 2W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1110pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Корпус (размер) | Micro6™(TSOP-6) |
| Корпус | Micro6™(TSOP-6) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LQW18AN33NG00D | MURATA | 2 664 | 10.07 | |||||
| LQW18AN33NG00D | MUR | 27 094 | 3.30 | |||||
| LQW18AN33NG00D |
|
|
||||||
 |
SN74LVC1G08DCKR |
|
18.60 | |||||
|
|
SN74LVC1G08DCKR | TEXAS INSTRUMENTS | 2 400 | 12.79 | ||||
|
|
SN74LVC1G08DCKR | TEXAS INSTRUMENTS | 10 892 |
|
||||
|
|
SN74LVC1G08DCKR | TEXAS |
|
|
||||
|
|
SN74LVC1G08DCKR | YOUTAI | 14 191 | 4.05 | ||||
|
|
SN74LVC1G08DCKR | UMW |
|
|
||||
|
|
SN74LVC1G08DCKR | UMW-YOUTAI | 288 | 5.90 |
