Версия для печати
Технические характеристики TAJA105K016RNJ

Номинальное напряжение	16 В
Емкость	1 мкФ
Серия	TAJ
Корпус (размер)	3216-18
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Электролитический танталовый
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	TAJ Series Suffix Change 08/Dec/2008
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
ESR (Equivalent Series Resistance)	11.00 Ohm
Тип	Molded
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Size / Dimension	0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Высота	0.071" (1.80mm)
Manufacturer Size Code	A
Возможности	General Purpose

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Электролитический танталовый

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	FAIR
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	NXP
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	PHILIPS
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный		436	21.12
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	NXP
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	МАРОККО
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	1
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	NEXPERIA
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	FUMAN	5 704	6.98
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS	1	1.56
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		10 814	2.40
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY, LTD
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR	12 241
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTO
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMI
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FUXIN	4 080	1.09
		CC0603KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	YAGEO	8 520 458	0.72  >500 шт.   0.24
		CC0603KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	PHY
		CC0603KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603		3
		CC0603KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CC0603KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		CC0603KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	YAGEO	2 000
		CC0603KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	СКЛАД
		CC0603KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	PHYCOMP
		NRF24L01P-R			NORDIC
		NRF24L01P-R
		NRF24L01P-R			NORDIC SEMICONDUCTOR
		RC0603JR-07180RL			YAGEO	184 536	1.00  >1000 шт.   0.20
		RC0603JR-07180RL			YAGEO
		RC0603JR-07180RL

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"