2N7002ET1G


Купить 2N7002ET1G по цене 4.17 руб.  (без НДС 20%)
2N7002ET1G
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
2N7002ET1G (VBSEMI) 22 274 4.17 

Версия для печати

Технические характеристики 2N7002ET1G

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5 Ohm @ 240mA, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C260mA
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs0.81nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds26.7pF @ 25V
Power - Max300mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусSOT-23-3
Product Change NotificationPossible Adhesion Issue 11/July/2008 Wire Change for SOT23 Pkg 26/May
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход