Версия для печати
Технические характеристики NCP1203P100G

Корпус	8-DIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Напряжение выходное	500V
Напряжение входное	8.4 V ~ 16 V
Частотный диапозон	90 ~ 115kHz
Изоляция выхода	Isolated
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1.5KE130CARL4			MOTOROLA
		1.5KE130CARL4			MOTOROLA
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...			182.40
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST1
		GS1G			MICRO SEMICONDUCTOR
		GS1G			PANJIT
		GS1G			DC COMPONENTS	535 620	2.05
		GS1G				12 080	1.36
		GS1G			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		GS1G			OTHER
		GS1G			PANJIT
		GS1G			MICROSEMI CORP
		GS1G			YT
		GS1G			HOTTECH
		GS1G			YANGJIE	20 000	1.31
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый		4	340.00
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	STMicroelectronics
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	КИТАЙ
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRO
		UCC2894DR					292.00
		UCC2894DR			Texas Instruments

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"