Версия для печати
Технические характеристики IRFRC20

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4 Ohm @ 1.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	350pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

IRFRC20 (Дискретные сигналы) 600V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package Также в этом файле: IRFRC20TR, IRFRC20TRL, IRFRC20TRR Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFRC20 datasheet 169.21Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	DIODES
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	MCC
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления		37 812	1.28
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	WTE
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	GALAXY
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	MIC	13 224	1.23
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	КИТАЙ
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	GALAXY ME
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KINGTRONICS
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	SUNTAN	716	2.53
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KLS
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	WUXI XUYANG	475	3.47
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	HOTTECH
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YANGJIE
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YANGJIE (YJ)
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YJ	3 920	2.95
		MC34262DG		ИМС 36V 0,5A 0,8W	ON SEMICONDUCTOR
		MC34262DG		ИМС 36V 0,5A 0,8W	ONS
		MC34262DG		ИМС 36V 0,5A 0,8W
		MMBZ15VALT1			ON SEMICONDUCTOR
		MMBZ15VALT1
		MMBZ15VALT1			ON SEMICONDUCTOR
		RS405L			DC COMPONENTS
		RS405L
		RS405L			Diodes Inc
		RS405L			Micro Commercial Co
		RS405L			DIODES INC.
		RS405L			DI
		TNY280GN		Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A	PWR
		TNY280GN		Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A	POWER INTEGRATIONS
		TNY280GN		Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A	PI
		TNY280GN		Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
		TNY280GN		Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A	КИТАЙ
		TNY280GN		Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A	POWER INTEGRATIONS	26

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"