IRFR110TR

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFR110TR (VBSEMI)	1 895	30.42

Версия для печати

Технические характеристики IRFR110TR

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	540 mOhm @ 2.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	180pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFR110 (Дискретные сигналы)

100V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package

Также в этом файле: IRFR110TRL

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFR110TR datasheet
172.31Kb
6стр.