PDTC114EM

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PDTC114EM (NXP.)	9 873	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PDTC114EM

Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	10K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	1µA
Power - Max	250mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-101, SOT-883
Корпус	SC-101

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.