FDT434P

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FDT434P (VBSEMI)	520	31.84

Версия для печати

Технические характеристики FDT434P

Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 6A, 4.5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	PowerTrench®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	19nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1187pF @ 10V
Power - Max	1.1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.