|
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3.9nC @ 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 25µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.6A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 3.6A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 266pF @ 25V |
Power - Max | 1.3W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | Micro3™/SOT-23 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0603 10 КОМ 5% (RC0603JR-0710K) | PHYCOMP | |||||||
0603 10 КОМ 5% (RC0603JR-0710K) | YAGEO | |||||||
GRM21BR71E105K | Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, 10%, 25В, 0805 | MURATA | ||||||
GRM21BR71E105K | Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, 10%, 25В, 0805 | 3.92 | ||||||
GRM21BR71E105K | Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, 10%, 25В, 0805 | ЯПОНИЯ | ||||||
HU-06 WIRE 0,3M AWG26 | ||||||||
PIC12F1822-I/SN | MICRO CHIP | 584 | 206.64 | |||||
PIC12F1822-I/SN | Microchip Technology | |||||||
PIC12F1822-I/SN | MICRO CHIP | 2 532 | ||||||
PIC12F1822-I/SN | ТАИЛАНД | |||||||
PIC12F1822-I/SN | ||||||||
RC1206FR-071RL | YAGEO | 76 286 |
1.16 >100 шт. 0.58 |
|||||
RC1206FR-071RL |
|