| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
4700МКФ 25В (16Х32) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4700мкФ, 25В
|
CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
4700МКФ 25В (16Х32) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4700мкФ, 25В
|
|
|
72.00
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
|
10 080
|
2.46
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
|
10 080
|
2.46
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
HOTTECH
|
2 188
|
1.75
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
JSMICRO
|
10 912
|
4.05
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
2790
|
|
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
2688
|
|
|
|
|
|
|
TDA7293 |
|
УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA7293 |
|
УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W
|
|
|
320.00
|
|
|
|
|
TDA7293 |
|
УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
TDA7293 |
|
УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W
|
1
|
|
|
|
|
|
|
TDA7293 |
|
УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
TDA7293 |
|
УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W
|
КИТАЙ
|
1
|
375.15
|
|
|
|
|
TL494 DIP-16 |
|
Контроллер для AC-DC
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
TL494 DIP-16 |
|
Контроллер для AC-DC
|
|
|
|
|
|
|
|
TL494 DIP-16 |
|
Контроллер для AC-DC
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
TL494 DIP-16 |
|
Контроллер для AC-DC
|
КИТАЙ
|
1
|
12.00
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
44
|
46.85
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
222
|
75.60
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
30
|
96.09
|
|
Версия для печати
