|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 680mA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 50pF @ 10V |
Power - Max | 350mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23 |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
FDV303N (MOSFET) Digital FET , N-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DSPIC33FJ128MC804-I/PT | MICRO CHIP | |||||||
DSPIC33FJ128MC804-I/PT | Microchip Technology | |||||||
DSPIC33FJ128MC804-I/PT | ||||||||
FH12F | AUK | |||||||
FH12F | 27.12 | |||||||
FH12F | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) | |||||||
FH12F | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) | |||||||
FH12F | KLS | |||||||
LMC6482AIMX | NATIONAL SEMICONDUCTOR | |||||||
LMC6482AIMX | 212.00 | |||||||
LMC6482AIMX | NSC | |||||||
LMC6482AIMX | NATIONAL SEMICONDUCTOR | 72 | ||||||
LMC6482AIMX | TEXAS INSTRUMENTS | |||||||
TP0101K-T1-E3 | SILICONIX | |||||||
TP0101K-T1-E3 | VISHAY | |||||||
TP0101K-T1-E3 | SILICONIX | 34 | ||||||
TP0101K-T1-E3 | VISHAY | |||||||
TP0101K-T1-E3 | 75.32 | |||||||
TP0101K-T1-E3 | Vishay/Siliconix | |||||||
ПД11-3 | переключатель движковый | 800 | 14.28 | |||||
ПД11-3 | переключатель движковый | МИКРО-М | 623 | 2.00 | ||||
ПД11-3 | переключатель движковый | ПУТИВЛЬ | 1 429 | 2.00 | ||||
ПД11-3 | переключатель движковый | МИКРО М |
|