Версия для печати
Технические характеристики Д818Е

Мощность рассеяния,Вт	0.3
Минимальное напряжение стабилизации,В	8.1
Номинальное напряжение стабилизации,В	8.5
Максимальное напряжение стабилизации,В	8.9
Статическое сопротивление Rст.,Ом	25
при токе I ст,мА	10
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С	0.001
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В	0.12
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА	3
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА	33
Рабочая температура,С	-60...125
Способ монтажа	в отверстие
Корпус	kd 2
Производитель	Россия

Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный Д818Е datasheet 85,71kB 3стр.

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

СТАБИЛИТРОНЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	155 430	1.82
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC	304	1.30
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	217 068	1.30
		1N4007			DIOTEC	56 930	2.74
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	312
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	266 666
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	97 104	1.30
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	800	6.12
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				1 807	7.04
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	17 845	1.81
		1N4007			HOTTECH	98 380	1.54
		1N4007			KLS	136 000	3.94
		1N4007			YS
		1N4007			YANGJIE	257 600	1.61
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG	19 449	2.08
		1N4007			KUU	1	1.10  >100 шт.   0.55
		1N4007			CHINA	15 337	1.02
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	135 016	2.11
		КП303А		Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.			57.60
		КП303А		Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	ФОТОН	21 847	24.00
		КП303А		Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	АЛЕКСАНДРОВ
		КП303А		Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	RUS
		КП303А		Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	ЭЛЕКС	532	127.50
		КП303Е		Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...		5 768	21.00
		КП303Е		Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	ФОТОН	15 976	30.00
		КП303Е		Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КП303Е		Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	АЛЕСАНДРОВ
		КП303Е		Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	RUS
		КС133А		Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА		7 031	9.45
		КС133А		Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА	НЗПП
		КС133А		Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА	НОВОСИБИРСК	68	10.00
		КС133А		Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА	ХЕРСОН
		КС133А		Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КС133А		Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА	RUS
		КС133А		Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...		668	10.32
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	КРЕМНИЙ
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	СВЕТЛАНА
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	МИНСК
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	БРЯНСК	3 706	12.00
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	НАЛЬЧИК
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	РИГА
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	RUS
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	ИНТЕГРАЛ	1	27.30

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"