|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3314G-1-101E |
|
Подстроечный резистор 100 Ом
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3314G-1-101E |
|
Подстроечный резистор 100 Ом
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3314G-1-101E |
|
Подстроечный резистор 100 Ом
|
|
|
|
|
|
|
3314G-1-105E |
|
Подстроечный резистор 1M
|
BOURNS
|
800
|
177.12
|
|
|
|
3314G-1-105E |
|
Подстроечный резистор 1M
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3314G-1-105E |
|
Подстроечный резистор 1M
|
|
|
|
|
|
|
74HC4046AD |
|
|
|
|
|
|
|
|
74HC4046AD |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC4046AD |
|
|
NXP
|
30
|
|
|
|
|
BC857BDW1T1 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857BDW1T1 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
15 000
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
|
5 005
|
10.80
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛОХОВСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛХОВ
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛХОВСКИЙ ЗПП
|
1 120
|
70.85
|
|