FQD6N60C

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FQD6N60C	4	187.20

Версия для печати

Технические характеристики FQD6N60C

Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 2A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	QFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	810pF @ 25V
Power - Max	80W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.