Версия для печати
Технические характеристики КУ103В1

Максимальное обратное напряжение,В	300
Максимальное повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии,В	300
Максимальное среднее за период значение тока в открытом состоянии,А	0.001
Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии,А	0.001
Максимальное напряжение в открытом состоянии,В	3
Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора ,А	0.04
Наименьший повторяющийся импульсный ток управления, необходимый для включения тиристора,А	0.01
Отпирающее напряжение управления, соответствующее минимальному постоянному отпирающему току,В	0.3
Отпирающее напряжение управления, соответствующее минимальному импульсному повторяющемуся отпирающему току,В	2
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии,В/мкс	150
Время включения,мкс	2
Время выключения,мкс	2
Рабочая температура,C	-45…85
Особенности	незапираемый

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ТИРИСТОРЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	15.30
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	4 495	5.92
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	10 982	2.92
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		12 002	1.13
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	5 804	1.94
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	19 200	1.31
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		К554СА3А		Компаратор, 300 нс, -15 ... +15В		1	28.16
		К554СА3А		Компаратор, 300 нс, -15 ... +15В	ЗПП
		К554СА3А		Компаратор, 300 нс, -15 ... +15В	МИНСК
		К554СА3А		Компаратор, 300 нс, -15 ... +15В	РИГА
		К554СА3А		Компаратор, 300 нс, -15 ... +15В	МСХ1
		К554СА3А		Компаратор, 300 нс, -15 ... +15В	АЛЕКСАНДРОВ
		К554СА3А		Компаратор, 300 нс, -15 ... +15В	ЗПП МИНСК
		К554СА3А		Компаратор, 300 нс, -15 ... +15В	ЛАТВИЯ
		К554СА3А		Компаратор, 300 нс, -15 ... +15В	ИНТЕГРАЛ
		К554СА3А		Компаратор, 300 нс, -15 ... +15В	RUS
		К554СА3А		Компаратор, 300 нс, -15 ... +15В	АЛЬФА РИГА	1 040	137.76
		К554СА3А		Компаратор, 300 нс, -15 ... +15В	АЛЬФА
		КУ202М		Универсальный встраиваемый сетевой источник питания серии S. Тиристор кремниевый, ...		220	38.72
		КУ202М		Универсальный встраиваемый сетевой источник питания серии S. Тиристор кремниевый, ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КУ202М		Универсальный встраиваемый сетевой источник питания серии S. Тиристор кремниевый, ...	СТАРТ	1	30.00
		КУ202М		Универсальный встраиваемый сетевой источник питания серии S. Тиристор кремниевый, ...	СЗТП
		КУ208Г		Симистор, кремниевый, планарный, структуры PNPN, триодный, незапираемый 400В, 10А, ...		875	48.45
		КУ208Г		Симистор, кремниевый, планарный, структуры PNPN, триодный, незапираемый 400В, 10А, ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ	1 020	24.00
		КУ208Г		Симистор, кремниевый, планарный, структуры PNPN, триодный, незапираемый 400В, 10А, ...	СТАРТ
		КУ208Г		Симистор, кремниевый, планарный, структуры PNPN, триодный, незапираемый 400В, 10А, ...	RUS
		КУ208Г		Симистор, кремниевый, планарный, структуры PNPN, триодный, незапираемый 400В, 10А, ...	СЗТП	8	132.60
		КУ208Г		Симистор, кремниевый, планарный, структуры PNPN, триодный, незапираемый 400В, 10А, ...	П/П 2
		ТС122-25-1				8	418.20

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"