FQA13N80_F109

Напряжение сток - исток 800В
Ток стока 12.6А
Ток стока импульсный 50.4А
Напряжение затвор - исток +/- 30В
Мощность 300Вт

Версия для печати

Технические характеристики FQA13N80_F109

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	QFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 6.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	88nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3500pF @ 25V
Power - Max	300W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-3PN
Корпус	TO-3PN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQA13N80_F109 (MOSFET)

800V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQA13N80_F109 datasheet
890.7 Кб