| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CC0603JRNPO8BN102 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, NP0, 5%, 0603, 25В
|
YAGEO
|
70 188
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
CC0603JRNPO8BN102 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, NP0, 5%, 0603, 25В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
CC0603JRNPO8BN102 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, NP0, 5%, 0603, 25В
|
|
16
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
VISHAY
|
4
|
22.48
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
|
682
|
55.20
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
MINOS
|
3 227
|
38.50
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
5
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
|
|
17.72
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
1
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
JSMICRO
|
32 140
|
5.40
|
|
|
|
IRLML2502TR |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
КИТАЙ
|
8
|
6.00
|
|
|
|
|
RC0603FR-0722RL |
|
|
YAGEO
|
2 560
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
|
RC0603FR-0722RL |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
RC0603FR-0722RL |
|
|
|
|
|
|
|
|
STM32F103RBT6TR |
|
Микроконтроллер - [LQFP-64]; Ядро: ARM Cortex-M3, 32-бит; FLASH: 128 КБайт; RAM: 20 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STM32F103RBT6TR |
|
Микроконтроллер - [LQFP-64]; Ядро: ARM Cortex-M3, 32-бит; FLASH: 128 КБайт; RAM: 20 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STM32F103RBT6TR |
|
Микроконтроллер - [LQFP-64]; Ядро: ARM Cortex-M3, 32-бит; FLASH: 128 КБайт; RAM: 20 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STM32F103RBT6TR |
|
Микроконтроллер - [LQFP-64]; Ядро: ARM Cortex-M3, 32-бит; FLASH: 128 КБайт; RAM: 20 ...
|
|
677
|
277.40
|
|