IRLML0030


Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на управление 30В, 5.3А, 1.3Вт

Купить IRLML0030 по цене 1.10 руб.  (без НДС 20%)
IRLML0030 Транзистор NexFET™ полевой N канальный,...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRLML0030 7 600 1.10 
IRLML0030 (HOTTECH) 91 417 3.97 
IRLML0030 (KLS) 154 11.94 
IRLML0030 (SUNTAN) 12 648 4.28 
IRLML0030 (KEENSIDE) 100 5.15 
IRLML0030TR (HXY) 27 952 3.19 
IRLML0030TR (YOUTAI) 2 6.41 
IRLML0030TRPBF (INTERNATIONAL RECTIFIER) 1 48.35 
IRLML0030TRPBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.) 114 3-4 недели
Цена по запросу
IRLML0030TRPBF (INFINEON) 8 376 10.33 
IRLML0030TRPBF 4 800 7.18 

Транзистор NexFET™ полевой N канальный,  имеет низкие потери на проводимость и на управление
Напряжение сток исток 30В
Ток стока   5.3А
Мощность рассеиваемая   1.3Вт
Время восстановления  11нс
Диапазон температур  - 55 ... 150оС
Версия для печати

Технические характеристики IRLML0030

Rds On (Max) @ Id, Vgs27 mOhm @ 5.2A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C5.3A
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs2.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds382pF @ 15V
Power - Max1.3W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусMicro3™/SOT-23
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на управление 30В, 5.3А, 1.3Вт

IRLML0030 datasheet
224,54kB
10стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход