| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
К511ЛА5 |
|
Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В
|
|
3 605
|
28.89
|
|
|
|
К511ЛА5 |
|
Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В
|
ИЗОТРОН
|
|
|
|
|
|
К511ЛА5 |
|
Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К511ЛА5 |
|
Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К511ЛА5 |
|
Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В
|
ИЗОТРОН, ЛИДА
|
184
|
144.65
|
|
|
|
К511ЛА5 |
|
Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В
|
381
|
|
|
|
|
|
КТ203А |
|
Кремниевый низкочастотный pnp транзистор в металлостеклянном корпусе 0.15Вт, 60В, 10мА
|
|
|
83.48
|
|
|
|
КТ203А |
|
Кремниевый низкочастотный pnp транзистор в металлостеклянном корпусе 0.15Вт, 60В, 10мА
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ203А |
|
Кремниевый низкочастотный pnp транзистор в металлостеклянном корпусе 0.15Вт, 60В, 10мА
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ203А |
|
Кремниевый низкочастотный pnp транзистор в металлостеклянном корпусе 0.15Вт, 60В, 10мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ203А |
|
Кремниевый низкочастотный pnp транзистор в металлостеклянном корпусе 0.15Вт, 60В, 10мА
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ203Б |
|
никель
|
|
68
|
186.00
|
|
|
|
КТ203Б |
|
никель
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ203Б |
|
никель
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ203Б |
|
никель
|
АЛЕКСАНДРОВБ/УП
|
|
|
|
|
|
КТ203Б |
|
никель
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ203Б |
|
никель
|
ЭЛЕКС
|
128
|
475.27
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
31
|
46.85
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
222
|
75.60
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
30
|
96.09
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
|
1 098
|
22.08
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
32.79
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
БРЯНСК
|
5 476
|
39.06
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
1749
|
|
|
|
|
|
КТ815В |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 3МГц, 70В, 1,5А
|
5000
|
|
|
|