FQD11P06TM

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FQD11P06TM (ON SEMICONDUCTOR.)	289	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

Версия для печати

Технические характеристики FQD11P06TM

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Lead Dimension Change 23/Jan/2007
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	185 mOhm @ 4.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	550pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQD11P06TM datasheet