FDG8850NZ


Dual n-channel powertrench mosfet

Купить FDG8850NZ ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDG8850NZ
Версия для печати

Технические характеристики FDG8850NZ

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияPowerTrench®
FET Type2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs400 mOhm @ 750mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C750mA
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs1.44nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds120pF @ 10V
Power - Max300mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSC-70-6
Product Change NotificationMold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDG8850NZ (MOSFET)

Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDG8850NZ datasheet
327 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход