Версия для печати
Технические характеристики TECAP 2.2/25V A 10

Номинальное напряжение	25 В
Емкость	2.2 мкФ
Серия	293D
Корпус (размер)	3216-18
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Электролитический танталовый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ATTINY45-20PU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (4K ISP Flash, 256 bytes EEPROM, 256 bytes SRAM, 32x8 ...	ATMEL
		ATTINY45-20PU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (4K ISP Flash, 256 bytes EEPROM, 256 bytes SRAM, 32x8 ...			257.04
		ATTINY45-20PU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (4K ISP Flash, 256 bytes EEPROM, 256 bytes SRAM, 32x8 ...	США
		ATTINY45-20PU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (4K ISP Flash, 256 bytes EEPROM, 256 bytes SRAM, 32x8 ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ATTINY45-20PU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (4K ISP Flash, 256 bytes EEPROM, 256 bytes SRAM, 32x8 ...	MICRO CHIP	78	708.48
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	PHILIPS
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	NXP	800	6.63
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	PHILIPS
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	NXP	3 073
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	CDIL
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	SHIKUES	9 387	1.07
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	JSCJ	1 112 769	1.27
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	RECTIFIER
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	VISHAY
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W			99.44
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	Vishay/Siliconix
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	ИНДОНЕЗИЯ
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	VISHAY/IR
		IRFBC40		Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W	КИТАЙ
		L7809CV			ST MICROELECTRONICS	10 428	62.98
		L7809CV				412	42.24
		L7809CV			STMicroelectronics
		L7809CV			МАРОККО
		L7809CV			ST MICROELECTR
		L7809CV			КИТАЙ
		L7809CV			STMICROELECTR
		L7809CV			UMW
		L7809CV			YOUTAI	460	15.58
		TPA301D			TEXAS INSTRUMENTS
		TPA301D					103.60
		TPA301D			TEXAS INSTRUMENTS
		TPA301D			TEXAS INSTRUMEN
		TPA301D			TEXAS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"