КТ639Ж
Купить
КТ639Ж
по цене
6.12 руб.
(без НДС 20%)
Название (производитель)
Доступно для заказа
Цена, руб.,без НДС
Купить
КТ639Ж
244
6.12
КТ639Ж (
КРЕМНИЙ
)
400
28.05
КТ639Ж
244
6.12
КТ639Ж (
БРЯНСК
)
1 138
12.00
Версия для печати
*
Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
Аналоги:
Наименование
Описание
Производитель
Количество
Цена, руб.
Купить
BD136-16
Транзистор биполярный средней мощности PNP 45V 1,5A 8W B:100-250
153
16.00
BD136-16
Транзистор биполярный средней мощности PNP 45V 1,5A 8W B:100-250
ST MICROELECTRONICS
BD136-16
Транзистор биполярный средней мощности PNP 45V 1,5A 8W B:100-250
ПУЭРТО РИКО
BD136-16
Транзистор биполярный средней мощности PNP 45V 1,5A 8W B:100-250
MCC
BD136-16
Транзистор биполярный средней мощности PNP 45V 1,5A 8W B:100-250
ТРАНЗИСТОР
BD136-16
Транзистор биполярный средней мощности PNP 45V 1,5A 8W B:100-250
ST MICROELECTRO
BD136-16
Транзистор биполярный средней мощности PNP 45V 1,5A 8W B:100-250
HOTTECH
BD140-10
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 1,5A 8W B:60-160
FAI/QTC
BD140-10
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 1,5A 8W B:60-160
ST MICROELECTRONICS
BD140-10
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 1,5A 8W B:60-160
UTC
BD140-10
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 1,5A 8W B:60-160
27.80
BD140-10
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 1,5A 8W B:60-160
МИНСК
BD140-10
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 1,5A 8W B:60-160
ST MICROELECTRONICS SEMI
BD140-10
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 1,5A 8W B:60-160
NXP
BD140-10
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80V 1,5A 8W B:60-160
NXP/NEXPERIA
С этим товаром покупают:
Наименование
Описание
Производитель
Количество
Цена, руб.
Купить
SS9018
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz
SAMSUNG
1
1.83
SS9018
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz
2.80
SS9018
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz
2.80
TBA820M
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
ST MICROELECTRONICS
TBA820M
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
SGS
TBA820M
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
39
72.00
TBA820M
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
UTC
TBA820M
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
SGS THOMSON
TBA820M
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
ST MICROELECTRONICS SEMI
TBA820M
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
STMicroelectronics
TBA820M
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
TBA820M
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
TBA820M
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
ST1
TBA820M
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
ST MICROELECTRO
TBA820M
ИМС УНЧ 2Вт DIP8
1
КП364Б
16.80
КП364Б
АЛЕКСАНДРОВ
КТ117Б
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
289
123.20
КТ117Б
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
КРИСТАЛЛ
КТ117Б
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
УЛЬЯНОВСК
4 813
34.00
КТ117Б
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
RUS
КТ117Б
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
УРЛЗ
240
216.48
КТ117Б
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
КАЛУГА
КТ3132В-2
КТ3132В-2
ПУЛЬСАР
zakaz.kontest
О компании
Контакты
Каталог
Как купить?
Доставка
Оплата
Вакансии
Вход
Поиск по складу
ИСКАТЬ В НАЙДЕННОМ
МУЛЬТИПОИСК
например:
appa32
Загрузить заявку файлом
Корзина
Товаров:
0
, на
0.00
руб.
оформить
|
очистить
Забыли пароль?