IRF620SPBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF620SPBF (SILICONIX.)	16	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IRF620SPBF

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800 mOhm @ 3.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	260pF @ 25V
Power - Max	3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF620SPBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRF620SPBF datasheet
1.8 Мб