| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 700nA @ 5V |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Power - Max | 350mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 15 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| Tolerance | ±5% |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
3296P-1-153 |
|
Подстроечный резистор 15K
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3296P-1-153 |
|
Подстроечный резистор 15K
|
|
|
39.20
|
|
|
|
|
3296P-1-153 |
|
Подстроечный резистор 15K
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
19 633
|
1.86
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
236
|
1.63
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
38 070
|
2.95
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
1 324
|
1.18
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
8
|
3.14
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
104
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 920
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
2 593
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
21
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
32 158
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
5 216
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
33 600
|
1.16
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
76 967
|
2.07
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
48 752
|
2.90
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
5 274
|
1.35
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
XXW
|
7 484
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
49 924
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
14
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
6500
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ELZET
|
69 600
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
RUME
|
48 000
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TRR
|
60 000
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
DC COMPONENTS
|
65 072
|
3.06
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
KEEN SIDE
|
22 891
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
DC COMPONENTS
|
3 637
|
12.24
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
|
16 580
|
3.10
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
SMK
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
ST1
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
LTL
|
1
|
17.96
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
КИТАЙ
|
84
|
16.40
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
BRIGHTKING
|
390
|
7.06
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
JJM
|
1 296
|
7.16
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
KLS
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
YJ
|
7 266
|
1.91
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
|
|
|
|
|
|
|
ULQ2003A |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
2
|
60.02
|
|
|
|
|
ULQ2003A |
|
|
|
|
42.00
|
|
|
|
|
ULQ2003A |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
ULQ2003A |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
ULQ2003A |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
ULQ2003A |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
792
|
|
|