Версия для печати
Технические характеристики BC847BLT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 5V
Power - Max	225mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008

LBC846 General Purpose Transistors Npn Silicon Также в этом файле: LBC847BLT1G Производитель: Leshan Radio Company //www.lrc-china.com BC847BLT1G datasheet 142.13Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	VISHAY
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	RECTIFIER
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	INTERNATIONAL RECTIFIER
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C			18.80
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	INTERNATIONAL RECTIFIER
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	Vishay/Semiconductors
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	КИТАЙ
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	INFINEON	1	10.62
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	LGE
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	LUGUANG	6 113	13.56
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	SMCMICRO	1 052	5.32
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	SUNMATE	15 052	1.64
		293D226X9010B2TE3		Танталовый ЧИП конденсатор 22 мкФх 10в 10% тип B	SPRAGUE
		293D226X9010B2TE3		Танталовый ЧИП конденсатор 22 мкФх 10в 10% тип B	VISHAY	40 390	12.47
		293D226X9010B2TE3		Танталовый ЧИП конденсатор 22 мкФх 10в 10% тип B	SPRAGUE
		293D226X9010B2TE3		Танталовый ЧИП конденсатор 22 мкФх 10в 10% тип B	VISHAY
		293D226X9010B2TE3		Танталовый ЧИП конденсатор 22 мкФх 10в 10% тип B
		293D226X9010B2TE3		Танталовый ЧИП конденсатор 22 мкФх 10в 10% тип B	Vishay/Sprague
		BC56-12SRWA		Сегментный светодиод, 3 знака, общий катод, 14,22mm, красный суперяркий (640 нм), ...	KB
		BC56-12SRWA		Сегментный светодиод, 3 знака, общий катод, 14,22mm, красный суперяркий (640 нм), ...	KINGBRIGHT
		BC56-12SRWA		Сегментный светодиод, 3 знака, общий катод, 14,22mm, красный суперяркий (640 нм), ...	KGB
		BC56-12SRWA		Сегментный светодиод, 3 знака, общий катод, 14,22mm, красный суперяркий (640 нм), ...			129.48
		BC56-12SRWA		Сегментный светодиод, 3 знака, общий катод, 14,22mm, красный суперяркий (640 нм), ...	КИТАЙ
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAI/QTC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL INSTRUMENT
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	DIODES
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FSC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)		66 996	3.38
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIRCHILD
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GALAXY
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	DIODES INC.	424
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIRCHILD	17
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL INSTRUMENT
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	EIC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LITE ON OPTOELECTRONICS
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Fairchild Semiconductor
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Diodes Inc
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Vishay/Semiconductors
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	КИТАЙ
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	YJ	35 833	6.68
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	SEP
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	17 332
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ONS
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ONS-FAIR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	HOTTECH	9 488	4.19
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	MULTICOMP
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	YANGJIE (YJ)
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	MASTER INSTRUMENT CO	3 812	13.59
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LGE	7 315	14.00
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ASEMI
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	SUNTAN	38 008	5.70
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	TRR	24 000	3.43
		SP0503BAHTG		Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	LTL
		SP0503BAHTG		Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	LITTELFUSE	1	18.89
		SP0503BAHTG		Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)		4	28.80
		SP0503BAHTG		Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	LITTELFUSE	1
		SP0503BAHTG		Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	Littelfuse Inc
		SP0503BAHTG		Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	TECH PUB	6 944	7.59
		SP0503BAHTG		Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	MSKSEMI

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"