CN2220S14BAUTOE2G2
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SM8S12A/2D | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
 |
 |
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | 4 | 340.00 | ||
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRO |
|
|
|
 |
|
TLE4267G | INFINEON |
|
|
|||
|
|
|
TLE4267G | 1 | 246.40 | ||||
|
|
|
TLE4267G | INFINEON TECH |
|
|
|||
|
|
|
TLE4267G | INFINEON |
|
|
|||
|
|
TLE4471G | INFINEON |
|
|
||||
|
|
TLE4471G | Infineon Technologies |
|
|
||||
|
|
TLE4471G |
|
|
|||||
|
|
TLE4471G | ROSH |
|
|
||||
|
|
TPS2814D | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
TPS2814D |
|
80.00 | |||||
|
|
TPS2814D | TEXAS |
|
|
||||
|
|
TPS2814D | TEXAS INSTRUMEN |
|
|
