Версия для печати
Технические характеристики LL4148-GS08

Производитель	VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Количество в упаковке	2500 шт.
Вес	0.058 г
Temperature	Шоттки
Bag Type	100 В
Tape Width - Max	1 x 0.1 А
Technology	1
Корпус (размер)	Mini MELF, SOD-80
Рабочая температура	-65...125 °C
	Small Signal Schottky Diodes

LL4x48-GSx8 Small Signal Fast Switching Diodes Также в этом файле: LL4148-GS08 Производитель: Vishay //www.vishay.com LL4148-GS08 datasheet 292.87Kb 5стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		3314G-1-103E		Подстроечный резистор 10кОм	BOURNS	3	109.43
		3314G-1-103E		Подстроечный резистор 10кОм			102.24
		3314G-1-103E		Подстроечный резистор 10кОм	Bourns Inc
		3314G-1-103E		Подстроечный резистор 10кОм	BOURNS
		3314G-1-103E		Подстроечный резистор 10кОм	0.00
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)		1 432	2.45
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	GALAXY	5 532	2.86
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ONS
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP	3 748
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	Diodes Inc
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	КИТАЙ
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DI
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DC COMPONENTS
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	INFINEON
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DIODES
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DIOTEC	192 637	2.00
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	GALAXY ME
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	INFINEON	99
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	LRC
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	HOTTECH	616	1.24
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	PANJIT
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SEMTECH	246	3.13
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	WUXI XUYANG	68	2.76
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SEMICRON
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	KOME
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP/NEXPERIA
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	YANGJIE (YJ)
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	JSCJ	165 573	2.04
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	YJ	10 400	1.97
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V		46 297	1.32  >100 шт.   0.66
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	NXP
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	LGE
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	КИТАЙ
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	EIC
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	HOTTECH	224	1.97
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	SEMTECH	214	1.34
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	KLS	172	1.39
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	YANGJIE (YJ)
		BZV55C4V7		Стабилитрон If=10mA U=4.7V	1
		CC1206KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206	YAGEO	2 412 570	1.96  >100 шт.   0.98
		CC1206KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206	PHYCOMP
		CC1206KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206			12.00
		CC1206KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206	PHYCOMP
		CC1206KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CC1206KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		CC1206KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 1206	YAGEO	2 369
		TL431A			HTC KOREA SEMICONDUCTORS
		TL431A
		TL431A			HTC KOREA SEMICONDUCTORS
		TL431A			HTC	18 866	6.00
		TL431A
		TL431A			HTC TAEJIN
		TL431A			КИТАЙ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"