|
Производитель | NXP |
Количество в упаковке | 50 шт. |
Вес | 2.746 г |
Bag Type | 800 В |
Bale Length | 13 А |
Bandwidth | 1.75 В |
Base Size | 32 мА |
Base Type | 1 мА |
Время включения | 2 мкс |
Barrel Depth | 70 мкс |
Barrier Type | NXP |
Корпус (размер) | TO-220AB |
Рабочая температура | -40...125 °C |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BT139-600 | Тиристор 16A 600В Igt=35мА | NXP | ||||||
BT139-600 | Тиристор 16A 600В Igt=35мА | 114.84 | ||||||
BT139-600 | Тиристор 16A 600В Igt=35мА | КИТАЙ | ||||||
ECAP 2200/10V 1021 105C | Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С | JAMICON | ||||||
ECAP 2200/10V 1021 105C | Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С | 28.80 | ||||||
ECAP 2200/10V 1021 105C | Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С | JAM | ||||||
ECAP 2200/10V 1021 105C | Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 10 В, 105 С | JB | ||||||
ECAP 2200/16V 1220 105C RD | Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 16 В, 105°C | SAMWHA | ||||||
MJE13009G | Транзистор биполярный | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
MJE13009G | Транзистор биполярный | ONS | ||||||
MJE13009G | Транзистор биполярный | 129.20 | ||||||
MJE13009G | Транзистор биполярный | ON SEMICONDUCTO | ||||||
SPP02N60S5 | 6.0A 600В 3.0 Ом | INFINEON | ||||||
SPP02N60S5 | 6.0A 600В 3.0 Ом | 100.00 | ||||||
SPP02N60S5 | 6.0A 600В 3.0 Ом | Infineon Technologies | ||||||
SPP02N60S5 | 6.0A 600В 3.0 Ом | INFINEON TECH |
|