NTJS3151PT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NTJS3151PT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	1 155	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NTJS3151PT1G

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	400mV @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	850pF @ 12V
Power - Max	625mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SOT-363

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.