|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
|
30
|
17.50
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
400
|
102.00
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
|
|
61.68
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF510 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
|
4
|
139.20
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
1
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
MICRO CHIP
|
50
|
2 263.20
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
|
|
429.16
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
MCHIP
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
314
|
48.45
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
671
|
31.50
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
465
|
24.00
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
272
|
57.07
|
|