Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 3µA @ 4V |
Допустимые отклонения емкости | ±5% |
Power - Max | 350mW |
Impedance (Max) (Zzt) | 10 Ohm |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
Tolerance | ±5% |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
731 684
|
1.46
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
72 488
|
2.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
2 874
|
5.28
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
301
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
5 333
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
117 563
|
1.97
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
596
|
1.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.21
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
368
|
1.58
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
2 280
|
1.59
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
235 200
|
1.13
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 635 388
|
1.18
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
802 103
|
1.29
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
192 000
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
25 875
|
1.14
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
53 600
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAW56W |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAW56W |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAW56W |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56W |
|
|
|
33 686
|
1.22
|
|
|
|
BAW56W |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAW56W |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAW56W |
|
|
MIC
|
31 200
|
1.31
|
|
|
|
BAW56W |
|
|
JSCJ
|
22 608
|
1.81
|
|
|
|
BCX55-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 60В 1A 1,3Вт B:100-250
|
|
10 800
|
2.62
|
|
|
|
BCX55-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 60В 1A 1,3Вт B:100-250
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCX55-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 60В 1A 1,3Вт B:100-250
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCX55-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 60В 1A 1,3Вт B:100-250
|
NXP
|
700
|
|
|
|
|
BCX55-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 60В 1A 1,3Вт B:100-250
|
PHILIPS
|
473
|
|
|
|
|
BCX55-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 60В 1A 1,3Вт B:100-250
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BCX55-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 60В 1A 1,3Вт B:100-250
|
HOTTECH
|
2 832
|
6.11
|
|
|
|
BCX55-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 60В 1A 1,3Вт B:100-250
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BCX55-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 60В 1A 1,3Вт B:100-250
|
YJ
|
10 010
|
6.61
|
|
|
|
BCX55-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 60В 1A 1,3Вт B:100-250
|
KOME
|
6 740
|
4.48
|
|
|
|
PIC16F690-I/SO |
|
Микроконтроллер 4KX14 FLASH, 18I/O, 20MHZ, SO20
|
MICRO CHIP
|
1 315
|
358.80
|
|
|
|
PIC16F690-I/SO |
|
Микроконтроллер 4KX14 FLASH, 18I/O, 20MHZ, SO20
|
|
364
|
174.60
|
|
|
|
PIC16F690-I/SO |
|
Микроконтроллер 4KX14 FLASH, 18I/O, 20MHZ, SO20
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F690-I/SO |
|
Микроконтроллер 4KX14 FLASH, 18I/O, 20MHZ, SO20
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
REF192GS |
|
Прецизионный источник опорного напряжения (Uоп=2.5V, tol=2.5mV, Uin=-0.3.+18V, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
REF192GS |
|
Прецизионный источник опорного напряжения (Uоп=2.5V, tol=2.5mV, Uin=-0.3.+18V, ...
|
|
|
280.00
|
|
|
|
REF192GS |
|
Прецизионный источник опорного напряжения (Uоп=2.5V, tol=2.5mV, Uin=-0.3.+18V, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
REF192GS |
|
Прецизионный источник опорного напряжения (Uоп=2.5V, tol=2.5mV, Uin=-0.3.+18V, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
108
|
360.00
|
|