|
Мощность рассеяния,Вт | 0.15 |
Минимальное напряжение стабилизации,В | 5.8 |
Номинальное напряжение стабилизации,В | 6.2 |
Максимальное напряжение стабилизации,В | 6.6 |
Статическое сопротивление Rст.,Ом | 45 |
при токе I ст,мА | 10 |
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.01 |
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1.5 |
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 3 |
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 22 |
Рабочая температура,С | -60...125 |
Способ монтажа | в отверстие |
Корпус | kd 2 |
Производитель | Россия |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0805-6.8K 5% | ЧИП — резистор 6.8кОм, 5%, 0.125Вт | 176 |
1.20 >500 шт. 0.40 |
|||||
TX5000 | RFM | |||||||
TX5000 | 1 280.00 | |||||||
К73-9-4700ПФ 630В (5%) | ||||||||
КД2999А | Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс | 13 | 127.50 | |||||
КД2999А | Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс | ФОТОН | 23 | 100.00 | ||||
КД2999А | Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс | СЗТП | 12 | 438.60 | ||||
КТ825Г | Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | КРЕМНИЙ | 106 | 1 147.50 | ||||
КТ825Г | Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | 65 | 805.00 | |||||
КТ825Г | Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | БРЯНСК | 199 | 1 250.00 | ||||
КТ825Г | Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | СИТ | ||||||
КТ825Г | Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | RUS |
|