К78-2, 0.056 МКФ, 1600 В, 10%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
B013 МЕТАЛЛИЧ.		GAINTA
B013 МЕТАЛЛИЧ.
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS	1	1.57
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		10 814	2.40
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY, LTD
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR	12 241
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTO
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMI
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FUXIN	2 424	1.10
HCPL4504-000E	Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА	AVAGO
HCPL4504-000E	Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА	BRO/AVAG
HCPL4504-000E	Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА		2	309.60
STTH5R06FP
STTH5R06FP		ST MICROELECTRONICS
STTH5R06FP		STMicroelectronics	4	79.37
STTH5R06FP		ST MICROELECTRONICS SEMI	254
STTH5R06FP		ST1
STTH5R06FP		0.00
VS-10ETF12-M3		VISHAY	800	196.80
VS-10ETF12-M3