Версия для печати
Технические характеристики IRFZ48ZPBF

Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	61A
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 37A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs	64nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1720pF @ 25V
Power - Max	91W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FR607 (6A 1000V)		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс
		HER308 (3A 1000V)		диод из серии высокоэффективных диодов с малым временем восстановления
		IRFB31N20D		Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFB31N20D		Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R			222.00
		IRFB31N20D		Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R	КИТАЙ
		IRFB31N20D		Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R	INFINEON
		IRFB31N20D		Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R	INFINEON TECHNOLOGIES
		IRG4PH50U		Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PH50U		Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт			339.44
		IRG4PH50U		Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт	КИТАЙ
		IRG4PH50U		Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PH50U		Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт	INFINEON
		UC3842ADR2		ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц	ON SEMICONDUCTOR
		UC3842ADR2		ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц	FAIR
		UC3842ADR2		ШИМ контроллер управление по току 30В, 30мА, 500кГц		2	18.89

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"