| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
КД206А |
|
|
|
191
|
74.40
|
|
|
|
КД206А |
|
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КД206А |
|
|
ИРКУТСК
|
|
|
|
|
|
КД206А |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД206А |
|
|
СЗТП
|
40
|
351.36
|
|
|
|
КД206А |
|
|
ИЗОТОП
|
|
|
|
|
|
КД206А |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
|
1 760
|
37.48
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
ФОТОН
|
9 730
|
27.90
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
4
|
148.80
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
АЛЕСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ315Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...
|
|
51 821
|
5.58
|
|
|
|
КТ315Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ315Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...
|
ТОМСК
|
|
|
|
|
|
КТ315Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...
|
КВАРЦИТ
|
|
|
|
|
|
КУ202Е1 |
|
|
|
1 071
|
21.08
|
|
|
|
КУ202Е1 |
|
|
СЗТП
|
8
|
106.19
|
|
|
|
КУ202Е1 |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КЦ405Б |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов
|
|
4 039
|
11.16
|
|
|
|
КЦ405Б |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов
|
ЗОНД
|
|
|
|
|
|
КЦ405Б |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов
|
ИЗОТОП
|
|
|
|
|
|
КЦ405Б |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов
|
ИРКУТСК
|
|
|
|
|
|
КЦ405Б |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов
|
СЗТП
|
4
|
69.49
|
|
|
|
КЦ405Б |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|