КТ8115Б

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
КТ8115Б		63.36
КТ8115Б (ИНТЕГРАЛ)	52	71.40

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	FAIR
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	ST MICROELECTRONICS	2	11.63
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	ON SEMICONDUCTOR
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	FSC
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W			28.44
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	FAIRCHILD
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	FAIRCHILD
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	ON SEMICONDUCTOR	707
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	ST MICROELECTRONICS SEMI	16
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	STMicroelectronics
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	Fairchild Semiconductor
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	MOTOROLA	72
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	РМС

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1Д507А	Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ		194	4.20
1Д507А	Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ	АЛЕКСАНДРОВ	4 336	4.00
1Д507А	Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ	RUS
1Д507А	Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ	ЭЛЕКС	1 000	12.24
КН 102Б			444	48.00
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		3 636	7.20
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	279	16.83
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЭЛЕКС
КТ503А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный		8 429	7.00
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	КРЕМНИЙ	2 040	15.62
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	АЛЕКСАНДРОВ
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	МИНСК	9 422	16.00
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	ТРАНЗИСТОР
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	БРЯНСК	1 384	16.00
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	RUS
КТ503Е	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	ИНТЕГРАЛ	91	13.77
КТ8225А				144.00
КТ8225А		ТРАНЗИСТОР
КТ8225А		МИНСК	21	170.00
КТ8225А		ИНТЕГРАЛ