VND5050J-E


Купить VND5050J-E ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
VND5050J-E IC DRVR HISIDE 2CH POWERSSO12 IC DRVR HISIDE 2CH POWERSSO12
Версия для печати

Технические характеристики VND5050J-E

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
ТипHigh Side
Тип входаNon-Inverting
Число выходов2
Сопротивление (On-State)50 mOhm
Ток - выходной (пиковое значение)18A
Напряжение питания4.5 V ~ 36 V
Рабочая температура-40°C ~ 150°C
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)PowerSSO-12
КорпусPowerSSO-12
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


VND5050J-E datasheet

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    ППБ-3В - 3ВТ 6.8 КОМ 5%       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ППБ-3В 10К +10%     КОНТАКТ Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ППБ-3В 1К +10%     КОНТАКТ Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ППБ-3В 2.2К +10%     КОНТАКТ Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ППБ-3В 22К +10%     КОНТАКТ Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход