Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
SCR Type | Standard Recovery |
Voltage - Off State | 600V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 1.5V |
Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.6V |
Current - On State (It (AV)) (Max) | 6.4A |
Current - On State (It (RMS)) (Max) | 10A |
Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 15mA |
Current - Hold (Ih) (Max) | 30mA |
Current - Off State (Max) | 10µA |
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 100A, 105A |
Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4003 |
|
Выпрямительный диод 200V, 1A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4003 |
|
Выпрямительный диод 200V, 1A
|
DIOTEC
|
47 536
|
1.24
|
|
|
|
1N4003 |
|
Выпрямительный диод 200V, 1A
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
1N4003 |
|
Выпрямительный диод 200V, 1A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
1 408
|
|
|
|
|
1N4003 |
|
Выпрямительный диод 200V, 1A
|
INVAC ASSOCIATED COMPANIES
|
|
|
|
|
|
1N4003 |
|
Выпрямительный диод 200V, 1A
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4003 |
|
Выпрямительный диод 200V, 1A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4
|
|
|
|
|
1N4003 |
|
Выпрямительный диод 200V, 1A
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4003 |
|
Выпрямительный диод 200V, 1A
|
|
15 074
|
1.15
|
|
|
|
1N4003 |
|
Выпрямительный диод 200V, 1A
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4003 |
|
Выпрямительный диод 200V, 1A
|
КИТАЙ
|
800
|
6.12
|
|
|
|
1N4003 |
|
Выпрямительный диод 200V, 1A
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
45
|
|
|
|
|
1N4003 |
|
Выпрямительный диод 200V, 1A
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4003 |
|
Выпрямительный диод 200V, 1A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4003 |
|
Выпрямительный диод 200V, 1A
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4003 |
|
Выпрямительный диод 200V, 1A
|
MIC
|
53
|
1.51
|
|
|
|
1N4003 |
|
Выпрямительный диод 200V, 1A
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4003 |
|
Выпрямительный диод 200V, 1A
|
GEMBIRD
|
7 120
|
1.20
|
|
|
|
BD241C |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 3A 40W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD241C |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 3A 40W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD241C |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 3A 40W
|
|
4
|
88.00
|
|
|
|
BD241C |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 3A 40W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD241C |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 3A 40W
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD241C |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 3A 40W
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BT152-600R |
|
Тиристор 20A 600В
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BT152-600R |
|
Тиристор 20A 600В
|
|
1 801
|
28.82
|
|
|
|
BT152-600R |
|
Тиристор 20A 600В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BT152-600R |
|
Тиристор 20A 600В
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BT152-600R |
|
Тиристор 20A 600В
|
1
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
NXP
|
128
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ISC
|
795
|
80.49
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
|
1
|
64.80
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BUT11A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS
|
1
|
|
|
|
|
|
MCR72-8G |
|
Тиристор 600В 8А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MCR72-8G |
|
Тиристор 600В 8А
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MCR72-8G |
|
Тиристор 600В 8А
|
|
|
|
|