Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 42A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 36A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 35nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1570pF @ 25V |
Power - Max | 110W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLR2905 | N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER | 80 | 79.05 | ||||
IRLR2905 | N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ... | 63.44 | ||||||
IRLR2905 | N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ... | МЕКСИКА | ||||||
IRLR2905 | N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=42A@T=25C, Id=30A@T=70C, Rds0.027 Ohm, ... | INFINEON | ||||||
IRLR2905PBF | ТАРНЗИСТОР N-LogL 55V 42A 110W 0,027R D-PAK | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRLR2905PBF | ТАРНЗИСТОР N-LogL 55V 42A 110W 0,027R D-PAK | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRLR2905PBF | ТАРНЗИСТОР N-LogL 55V 42A 110W 0,027R D-PAK | |||||||
IRLR2905PBF | ТАРНЗИСТОР N-LogL 55V 42A 110W 0,027R D-PAK | INFINEON | ||||||
IRLR2905Z | Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRLR2905Z | Hexfet power mosfets discrete n-channel | 116.40 | ||||||
IRLR2905Z | Hexfet power mosfets discrete n-channel | INFINEON |
|