IRFP4227PBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFP4227PBF (INFINEON)	12	344.40

Версия для печати

Технические характеристики IRFP4227PBF

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 46A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	65A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	98nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4600pF @ 25V
Power - Max	330W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFP4227PBF (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFP4227PBF datasheet
297 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
40L15CT		VISHAY
40L15CT		INTERNATIONAL RECTIFIER
40L15CT		INTERNATIONAL RECTIFIER
40L15CT		Vishay/Semiconductors
40L15CT
FR4 100X150X1.5 СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ2-СТ	Стеклотекстолит FR4, 100X150X1.5			514.40
FR4 100X150X1.5 СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ2-СТ	Стеклотекстолит FR4, 100X150X1.5			514.40
FR4 100X150X1.5 СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ2-СТ	Стеклотекстолит FR4, 100X150X1.5	ЦПТА
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INFINEON
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...
IRFB5615		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB5615			1	216.00
IRFB5615		INFINEON
SH050M0022B2F-0511	Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50 В	YAGEO
SH050M0022B2F-0511	Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)