|
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18.3nC @ 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.8A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 2.8A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V |
Power - Max | 1W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
Корпус | SOT-223 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0603 1UF 16V Y5V ±20% | TWN | |||||||
0603 1UF 16V Y5V ±20% | TY | 4 142 | 1.06 | |||||
B82472G6103M000 | EPCOS | |||||||
B82472G6103M000 | TDK-EPC | 6 806 | 109.87 | |||||
B82472G6103M000 | ||||||||
IRFB4110PBF | Транзистор N-Канальный 100V 180A 370W 0,0045R | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRFB4110PBF | Транзистор N-Канальный 100V 180A 370W 0,0045R | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRFB4110PBF | Транзистор N-Канальный 100V 180A 370W 0,0045R | INFINEON | 3 | 255.84 | ||||
IRFB4110PBF | Транзистор N-Канальный 100V 180A 370W 0,0045R |
|