IRF8736TRPBF
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 18A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2315pF @ 15V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BLM41PG102SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 1806 | MURATA |
|
|
||
|
|
BLM41PG102SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 1806 | 8 | 32.80 | |||
|
|
BLM41PG102SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 1806 | MUR | 33 420 | 8.57 | ||
|
|
BLM41PG102SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 1806 | Murata Electronics North America |
|
|
||
| PMEG6010CEH,115 | NXP |
|
|
|||||
| PMEG6010CEH,115 | NXP Semiconductors |
|
|
|||||
| PMEG6010CEH,115 | NEX |
|
|
|||||
| PMEG6010CEH,115 |
|
|
||||||
| TECAP 470/10V E 10 (TAJE477K010RNJ) | AVX | 55 | 100.00 | |||||
 |
TPS5430DDAR | TEXAS INSTRUMENTS | 1 866 | 110.00 | ||||
|
|
TPS5430DDAR | 1 840 | 140.80 | |||||
|
|
TPS5430DDAR | TEXAS INSTRUMENTS | 914 |
|
||||
|
|
TPS5430DDAR | TEXAS |
|
|
||||
|
|
TPS5430DDAR | TEXAS INSTRUMEN |
|
|
||||
|
|
TPS5430DDAR | TEXASINSTRUMENTS |
|
|
