IRF8513PbF
Транзистор МОП N-канальный Dual, 30В
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A, 11A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 766pF @ 15V |
| Power - Max | 1.5W, 2.4W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF8513PbF (MOSFET) 30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET
Производитель:
|
