IRF7416TRPBF
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 5.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 92nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1700pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1ВТ 2512 220 ОМ, 5% | ТАЙВАНЬ |
|
|
|||||
| 23K256-I/SN | MICRO CHIP | 1 | 292.13 | |||||
| 23K256-I/SN | Microchip Technology |
|
|
|||||
| 23K256-I/SN |
|
|
||||||
| 23K256-I/SN | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
|||||
| CC0805JRNP09BN101 | YAGEO |
|
|
|||||
| CC0805JRNP09BN101 |
|
2.72 | ||||||
| CC0805JRNP09BN101 | YAGEO |
|
|
|||||
| CC0805JRNP09BN101 | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| CC0805JRNP09BN101 | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
 |
IRFH9310TR2PBF |
|
International Rectifier |
|
|
|||
| RC0805FR-07180KL | YAGEO | 106 914 |
1.36 >100 шт. 0.68 |
|||||
| RC0805FR-07180KL |
|
|
