Power - Max | 3.8W |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 43A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 22A, 10V |
FET Feature | Standard |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SA1020 | Транзистор PNP lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz) | 1 | 38.72 | |||||
2SA1020 | Транзистор PNP lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz) | TOSHIBA | ||||||
2SA1020 | Транзистор PNP lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz) | TOS | ||||||
2SA1020 | Транзистор PNP lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz) | ON Semiconductor | ||||||
2SA1020 | Транзистор PNP lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz) | МАЛАЙЗИЯ | ||||||
2SA1020 | Транзистор PNP lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz) | HOTTECH | ||||||
IDCC-16 | вилка 2.54мм на шлейф с фиксацией | 377 | 18.74 | |||||
КР1830ВЕ31 | ЗПП | |||||||
КР1830ВЕ31 | 576.00 | |||||||
КР1830ВЕ31 | ЗПП МИНСК | |||||||
КР1830ВЕ31 | ВОРОНЕЖ | |||||||
КР1830ВЕ31 | МИНСК | |||||||
КР573РФ60А | 1 | 189.89 | ||||||
КР573РФ60А | КВАЗАР |
|