IRF1010EPBF
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 84A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 50A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3210pF @ 25V |
| Power - Max | 200W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FEP16DTA | FSC |
|
|
||||
|
|
FEP16DTA | FAIR |
|
|
||||
|
|
FEP16DTA | FAIRCHILD |
|
|
||||
|
|
FEP16DTA | FAIRCHILD |
|
|
||||
|
|
FEP16DTA | Fairchild Semiconductor |
|
|
||||
|
|
FEP16DTA | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
||||
|
|
FEP16DTA |
|
|
|||||
|
|
FEP16DTA | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||||
|
|
FEP16DTA | ONS |
|
|
||||
 |
|
IRFB31N20DPBF |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFB31N20DPBF |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFB31N20DPBF |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R |
|
|
||
|
|
|
IRFB31N20DPBF |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R | INFINEON |
|
|
|
| JRC4558D-8 |
|
|
||||||
| KTC3198Y |
|
NPN 60V, 0.15A, 0.4W, 130MHz | KEC | 266 | 17.18 | |||
| KTC3198Y |
|
NPN 60V, 0.15A, 0.4W, 130MHz |
|
|
||||
 |
|
MPSA56G |
|
ON Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
MPSA56G |
|
ONS |
|
|
||
|
|
|
MPSA56G |
|
|
|
|||
|
|
|
MPSA56G |
|
ON SEMICONDUCTOR | 2 456 |
|
||
|
|
|
MPSA56G |
|
ON SEMICONDUCTO |
|
|
||
|
|
|
MPSA56G |
|
|
|
