| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
|
|
69.32
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP601-I/SN |
|
Операционный усилитель 2,7-5,5В, 2,8MHz, 2,3V/us
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
|
3 821
|
6.09
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
BM
|
|
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
NXU
|
|
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
NLT
|
80
|
3.76
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
КИТАЙ
|
56
|
9.30
|
|
|
|
SCS-28 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP.
|
RUICHI
|
1 199
|
14.39
|
|
|
|
SCS-8 |
|
SCS - серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP
|
BM
|
410
|
6.78
|
|
|
|
SCS-8 |
|
SCS - серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP
|
TYCO
|
|
|
|
|
|
SCS-8 |
|
SCS - серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
SCS-8 |
|
SCS - серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP
|
|
400
|
13.27
|
|
|
|
SCS-8 |
|
SCS - серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SCS-8 |
|
SCS - серия панелей для микросхем в узких корпусах DIP
|
RUICHI
|
11
|
8.25
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
80
|
132.74
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
|
4
|
264.60
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
STMicroelectronics
|
1
|
84.72
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
23
|
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
0.00
|
|
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
ST MICROELECTRONICS
|
2
|
60.48
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
|
6
|
136.08
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
1
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|