|
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 59A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 29.5A, 10V |
FET Feature | Standard |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | UniFET™ |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4670pF @ 25V |
Power - Max | 500W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-3PN |
Корпус | TO-3PN |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRG4PH50UD | Транзистор IGBT модуль единичный | INTERNATIONAL RECTIFIER | 47 | 692.73 | ||||
IRG4PH50UD | Транзистор IGBT модуль единичный | 660.00 | ||||||
IRG4PH50UD | Транзистор IGBT модуль единичный | МЕКСИКА | ||||||
IRG4PH50UD | Транзистор IGBT модуль единичный | INFINEON |
|